產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品參數(shù) | |||
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品牌 | 中芯晶研 | ||
批號(hào) | 最新 | ||
封裝 | 單片包裝 | ||
包裝 | 盒裝 | ||
數(shù)量 | 10 | ||
直徑 | 2、3、4英寸 | ||
晶向 | (100)、(111) | ||
拋光 | 單面、雙面 | ||
使用 | 開(kāi)盒即用 | ||
摻雜類(lèi)型 | Zn、Te | ||
可售賣(mài)地 | 全國(guó) | ||
型號(hào) | N型、P型 |
銻化鎵(GaSb)單晶屬于III-V族化合物材料,具有較小的帶隙,在室溫下其能帶隙為 0.70 eV (1.77 μm),在 4K 下為 0.81 eV (1.53 μm)。該材料適用于工作在紅外區(qū)域的光電器件和波長(zhǎng)范圍為 1-5 μm 的電子器件??商峁╀R化鎵晶片,參數(shù)如下僅供參考:
1. GaSb 單晶片
2.?GaSb單晶特性
2.1 化學(xué)性能
2.2 電氣性能
2.3 熱學(xué)、機(jī)械和光學(xué)性能
3. GaSb單晶應(yīng)用
GaSb晶片可用于制備紅外探測(cè)器、紅外LED、激光器和晶體管以及熱光電系統(tǒng)。
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