產(chǎn)品詳情
HS261是一個(gè)鎖存型的霍爾效應(yīng)開關(guān)IC，采用先進(jìn)的BiCMOS制程制造，具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和很高的抗機(jī)械應(yīng)力性能，產(chǎn)品工作溫度可以達(dá)到125℃。HS261采用動(dòng)態(tài)失調(diào)消除技術(shù)以及溫度補(bǔ)償技術(shù)，大幅降低了由于封裝應(yīng)力，環(huán)境溫度變化等因素造成的失調(diào)電壓，使產(chǎn)品磁靈敏度持高度的一致性。
HS261包含穩(wěn)壓輸出模塊，霍爾薄片，信號(hào)放大模塊，動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊以及帶有限流保護(hù)的功率輸出級(jí)。
當(dāng)磁場(chǎng)南極靠近HS261TO 標(biāo)識(shí)面，磁場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到閾值時(shí)，功率管導(dǎo)通，輸出低電平。當(dāng)磁場(chǎng)北極靠近HS261TO標(biāo)識(shí)面，磁場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到閾值時(shí)，功率管截止，輸出高電平。
內(nèi)置的穩(wěn)壓輸出電路模塊可以讓芯片工作在2.5V至28V電源電壓范圍。
HS261包含穩(wěn)壓輸出模塊，霍爾薄片，信號(hào)放大模塊，動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊以及帶有限流保護(hù)的功率輸出級(jí)。
當(dāng)磁場(chǎng)南極靠近HS261TO 標(biāo)識(shí)面，磁場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到閾值時(shí)，功率管導(dǎo)通，輸出低電平。當(dāng)磁場(chǎng)北極靠近HS261TO標(biāo)識(shí)面，磁場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到閾值時(shí)，功率管截止，輸出高電平。
內(nèi)置的穩(wěn)壓輸出電路模塊可以讓芯片工作在2.5V至28V電源電壓范圍。
HS261提供TO-92S和TSOT23-3兩種封裝，均為符合RoHS規(guī)范，產(chǎn)品的使用環(huán)境溫度范圍為-40~125℃。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1.工作范圍寬，2.5~28V
2.開關(guān)點(diǎn)高度對(duì)稱
3.反向電壓保護(hù)，可到-40V
4.具有斬波穩(wěn)定功能，批次之間的一致性好
5.30V過壓保護(hù)，避免IC因電源電壓脈沖而損壞
6.溫度穩(wěn)定性優(yōu)異，可工作到125℃
7.輸出級(jí)限流保護(hù)30mA
8.輸出級(jí)36V過壓保護(hù)，避免輸出腳被干擾電壓擊穿小尺寸，TO-92S和TSOT23-3封裝
9.內(nèi)置上拉電阻
10.抗機(jī)械應(yīng)力
11.ESD HBM 4000V
主要應(yīng)用
1.直流無刷馬達(dá)
2.速度檢測(cè)
3.線性位置檢測(cè)
4.角度檢測(cè)裝置
8.轉(zhuǎn)速檢測(cè)
