產(chǎn)品詳情
STP6621規(guī)格和參數(shù)
描述
stp6621是P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯的
采用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度
過程是特別定制,以盡量減少對(duì)國家的阻力。這些器件
特別適合于低電壓應(yīng)用,noteook電源管理和治療
電池供電的電路中的高側(cè)開關(guān)
特征
- 60V / -10.0a,RDS(上)= 23m??(典型值)
@ VGS = - 10V
- 60V / -8.0a RDS(ON)=28m??
@ VGS = 4.5v
超高密度電池設(shè)計(jì)
極低的RDS(on)
特殊的阻力和最大
直流電流的能力
SOP-8封裝設(shè)計(jì)