產(chǎn)品詳情
EMI系列電磁屏蔽材料簡介；
抗干擾吸波材料可以寬頻帶內(nèi)有效降低電磁波的直射,反射,繞射和表面波輻射.可靠性,穩(wěn)定性好,涂復自由方便,附著力強,壽命長.它可消除屏蔽腔體內(nèi)電磁波的來回反射，減少雜波對自身設備的干擾，也有效防止電磁輻射對周圍設備及人員的騷擾和傷害，是一種消除電磁波污染的高級手段。將吸波材料應用于電子設備中可吸收泄露的電磁輻射，能達到消除電磁干擾的目的。
EMI系列電磁屏蔽材料是由填充能對電磁波起到有效耗散作用的吸收介質的聚合物制成，具有很好的從十兆赫茲到千兆赫茲干擾噪音的吸收衰減作用，它能消除設備腔體內(nèi)電磁波來回反射，減少雜波對自身設備的干擾，也有效防止電磁輻射對周圍設備及人員的騷擾和傷害，是一種消除電磁波污染的高級手段。
這個頻段覆蓋了大部分民用消費電子雜波頻段或高次諧波頻段， 當由于設計或者工藝等方面的原因，即使是采用了電磁屏蔽、濾波、接地等技術和手段，有時也很難達到預期的效果時，不需要對設計和工藝作任何的改動，只需找到干擾源用本材料粘貼或固定上即可,就可以解決屏蔽手段所無法解決的一些EMC/EMI問題 。
一、應用
應用于電子設備中可吸收泄露的電磁輻射，能達到消除電磁干擾的目的。根據(jù)電磁波在介質中從低磁導向高磁導方向傳播的規(guī)律，利用高磁導率鐵氧體引導電磁波，通過共振，大量吸收電磁波的輻射能量，再通過耦合把電磁波的能量轉變成熱能。
在NFC/RFID設備中，電子標簽要集成或貼合到產(chǎn)品上，作為設備的一個部件發(fā)揮功能，往往因空間有限，不可避免要將電子標簽（通常是被動式的）貼在金屬等導電物體表面或貼在臨近位置有金屬器件的地方。這樣一來，標簽在讀卡器發(fā)出的信號作用下激發(fā)感應出的交變電磁場很容易受到金屬的渦流衰減作用而使信號強度大大減弱，導致讀取過程失敗。因此需要在產(chǎn)品中增加抗金屬材料吸波材料提高讀卡靈敏度。
吸波材料應用于各類電子產(chǎn)品，如電視、LED顯示屏、音響、VCD機、電腦、數(shù)碼相機、游戲機、微波爐、移動電話中，可以使電磁波泄露降到國家衛(wèi)生安全限值（10微瓦每平方厘米）以下，確保人體健康。將其應用于高功率雷達、微波暗室、微波醫(yī)療器、微波破碎機、電子兼容的吸收屏蔽，能保護操作人員免受電磁波輻射的傷害。
日常應用如智能支付手機、POS機、各種智能卡、RFID射頻卡、RFID讀寫器、讀卡器、各種智能門禁、WIF，天線等
頻率范圍:110KHz～3GHz
比重:≤3～4.0 g/cm³
工作溫度：-25℃~125℃
相對濕度：≤95%
安全性：無毒、無味、無鹵素、無腐蝕、對人和環(huán)境友好。
適應性：附著力強、抗振動、抗腐蝕、抗紫外輻射、抗老化性能優(yōu)良。
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二、特性（Characteristics) |
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特性 |
代表值 |
測試方法 |
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吸波片 |
聚合物 |
N/A |
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引張強度 |
4.6Mpa |
ASTM D 1000 |
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虛磁部分 |
200 |
1000MHz |
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使用溫度 |
"-25~125"℃ |
長時間 |
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表面電阻 |
1.6*105Ω |
代表值 |
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比重 |
3.1g/cc |
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頻率 |
1MHz~5GHz |
代表值 |
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介電強度(DC) |
400V |
5mm(0.1mA/1mA 漏電) |
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導熱系數(shù) |
0.6W/mK |
ASTM D 5470 |
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粘著強度 |
>1.0 kgf/inch |
ASTM D 1000 |
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厚度 |
0.2mm |
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阻燃 |
無證書,但符合 UL-94V0 |
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RoHS |
滿足RoHS &不含PVC |
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彈性基材 |
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有效頻率范圍 |
100KHz--3000MHz |
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可選材料 |
片材0.08mm,0.15mm,0.2mm,0.25mm0.3mm,0.5mm,1mm |
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使用溫度范圍 |
-25℃-125℃ |
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膠帶厚度（mm） |
0.01-0.05 |
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環(huán)保項目 |
無鉛無鹵素 |
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阻然等級 |
UL94-V0 |
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三、評價吸波材料的主要參數(shù)：
1、吸波材料的電物理性能：
1）電阻率（ρ），介質損耗很小或可忽略不計時，在金屬介質、半導體介質型吸波材料中，其吸波性能主要由泄漏電導決定的。所以電阻率對吸波性能有很大影響。對于金屬電阻的本質，在正常狀態(tài)下聲子和晶格缺陷所引起的電子散射是產(chǎn)生金屬電阻的原因。對于半導體晶體，電導率是由于導電的電子由價帶躍遷到導帶的熱效應的結果。此外，除了自由電子導電，半導體還有空穴導電的特征。
表1為幾種半導體的電物理特性，利用這些電物理特性可以指導制備性能優(yōu)異的吸波材料，例如對碳化硅的電阻率的控制，對碳化硅吸波材料的性能有很大影響。
2）復介電常數(shù)（ε）和復磁導率（μ），是吸波材料電磁特性的基本參數(shù)，其先進性和實用性是用來評價吸波材料性能優(yōu)劣的主要依據(jù)。實驗表明：碳化硅的介電常數(shù)隨燒結溫度變化范圍較大，通過調(diào)整燒結溫度達到調(diào)節(jié)電磁參數(shù)（ε，μ）的目的，可得到高頻（50GHz）下使用的性能優(yōu)良的吸波材料。
3）介質損耗角（tgδ），是表征吸波材料的重要的電磁參數(shù)，多應用于實踐。
tgδ=ε’’/ε’
ε’’-外加電場下，材料磁偶距重排引起損耗的量度
ε’-電場作用下產(chǎn)生的極化程度
2、吸波材料的物理化學條件：
1）當金屬粉或金屬組分的尺寸超過趨膚深度值一個數(shù)量級或者不多于一個數(shù)量級，而且有介電性能的組分使按容積均勻分布的金屬組分完全絕緣時，則材料的吸波能力最大；
2）在熱作用、腐蝕作用及其它影響的條件下，吸波材料的結構、成分及性能應具備高度的穩(wěn)定性。
3、吸波材料的熱物理性能，影響吸波材料的性能穩(wěn)定的重要因素之一。改善吸波材料的耐熱沖擊性，克服其在高溫條件下性能惡化，吸波材料的研究方向之一即提高其熱穩(wěn)定性。吸波材料的熱穩(wěn)定性與材料的成分、物理化學性能、機械性能及制品形狀、尺寸還有工作條件和實驗條件有關。
