產(chǎn)品詳情
摻氯氧化速率略大于普通干氧氧化,這是由于氯進(jìn)入二氧化硅薄膜,哈默納科熱分解工藝諧波CSF-11-30-2A-R使二氧化硅結(jié)構(gòu)發(fā)生形變,氧化物質(zhì)在其中的擴(kuò)散速率增大的緣故。
在摻氯熱氧化工藝中,常用的三種氯源里由于氯化氫氣體和氣都是腐蝕哈默納科熱分解工藝諧波CSF-11-30-2A-R性較強的氣體,因此在生產(chǎn)上使用越來越多的是三氯乙烯。在高溫下三氯乙烯分解生成氣和氯化氫就用于摻氯氧化,而三氯乙烯本身腐蝕性不如以上兩種氣體,因此三氯乙烯是更具有發(fā)展前途的摻氯氧化工藝的氯源材料。
3、熱分解淀積法
熱分解氧化薄膜工藝是利用含硅的化合物經(jīng)過熱分解反應(yīng),在硅片表面淀積哈默納科熱分解工藝諧波CSF-11-30-2A-R一層二氧化硅薄膜的方法。優(yōu)點是基片本身不參與形成氧化膜的反應(yīng)