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從上世紀80年代到本世紀初,光學曝光是主要的光刻方法,光學曝光使用深紫外光哈默納科EUV技術諧波SHD-14-50-2SH 。從20世紀80年代初的3mm集成電路到2004年90nm的集成電路的發(fā)展,光學曝光光源使用汞燈,波長從G線(436nm)、I線(365nm),再到使用準分子激光光源,波長為248nm和193nm。哈默納科EUV技術諧波SHD-14-50-2SH過去的十年中產業(yè)界利用大數值孔徑和浸沒式曝光技術,以及離軸照明技術(Off Axis illumination,OAI)、空間濾波技術、相位移掩模(Phase Shift Mask, PSM)、光學臨近效應校正技術等光學曝光分辨率增強技術哈默納科EUV技術諧波SHD-14-50-2SH ,使用193nm的深紫外光將集成電路最小尺寸做到了22nm。目前利用極紫外(EUV)光刻技術,