哈默納科蒸汽爐諧波傳動SHD-20-100-2SH

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第13年

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詳細參數(shù)
品牌HarmonicDrive型號SHD-20-100-2SH
類型諧波減速器載荷狀態(tài)中等沖擊載荷
傳動比級數(shù)三級軸的相對位置立式加速器
傳動布置形式擺線式加工定制是
樣品或現(xiàn)貨現(xiàn)貨齒面硬度軟齒面
布局形式三環(huán)式用途減速機
輸入轉速3000rpm額定功率111kw
輸出轉速范圍50rpm許用扭矩691N.m
使用范圍化工減速比46
產(chǎn)地日本

產(chǎn)品詳情

以下，按著化學氣相沉積的研發(fā)歷程，分別簡介「常壓化學氣相沉積」、哈默納科蒸汽爐諧波傳動SHD-20-100-2SH「低壓化學氣相沉積」、及「電漿輔助化學氣相沉積」：

1、 常壓化學氣相沉積(AtmosphericPressureCVD；APCVD)

最早研發(fā)的CVD系統(tǒng)，顧名思義是在一大氣壓環(huán)境下操作，哈默納科蒸汽爐諧波傳動SHD-20-100-2SH設備外貌也與氧化爐管相類似。欲成長之材料化學蒸氣自爐管上游均勻流向硅晶，至于何以會沉積在硅晶表面，可簡單地以邊界層(boundarylayer)理論作定性說明：? 當具黏性之化學蒸氣水平吹拂過硅芯片時，硅芯片與爐管壁一樣，都是固體邊界，哈默納科蒸汽爐諧波傳動SHD-20-100-2SH因著靠近芯片表面約1mm的邊界層內(nèi)速度之大量變化(由邊界層外緣之蒸氣速度減低到芯片表面之0速度)，會施予一拖曳外力

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