AP50N06 N溝道 60V (D-S) MOSFET NMOS低側(cè)驅(qū)動器

數(shù)量(個) 價格
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深圳市世微半導體有限公司

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詳細參數(shù)
品牌其他型號AP50N06
種類其他導電方式增強型
溝道類型N溝道可測氣體其他
加工定制產(chǎn)地深圳

產(chǎn)品詳情

GENERAL DESCRIPTION
The AP50N06 is the N-Channel logic enhancement mode power
field effect transistors are produced using high cell density DMOS
trench technology. This high density process is especially tailored to
minimize on-state resistance. These devices are particularly suited
for low voltage application such as LCD inverter, computer power
management and DC to DC converter circuits which need low in-line
power loss.
FEATURES
● RDS(ON)≦ m?@VGS=10V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current
capability
APPLICATIONS
● Power Management
● DC/DC Converter
● LCD TV & Monitor Display inverter
● CCFL inverter

● Secondary Synchronous Rectification

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