產(chǎn)品詳情
光刻膠涂覆方法的四個(gè)基本步驟分別為滴膠、旋轉(zhuǎn)鋪開、哈默納科旋轉(zhuǎn)硅片諧波CSF-14-50-2UJ旋轉(zhuǎn)甩掉多余膠、溶劑揮發(fā)。
硅片上光刻膠涂膠的厚度和均勻性是非常關(guān)鍵的質(zhì)量參數(shù)。光刻膠涂覆過程中主要技術(shù)參數(shù)為:滴膠量,約1~3CC;成膜厚度約1微米左右,哈默納科旋轉(zhuǎn)硅片諧波CSF-14-50-2UJ厚度變化20-50?。光刻膠涂敷系統(tǒng)組成如所示,硅片吸附在真空吸盤上,真空吸盤可繞Z軸旋轉(zhuǎn),噴嘴可沿X、Y、Z移動(dòng),圍繞Z旋轉(zhuǎn)。噴嘴沿硅片徑向分滴光刻膠,這哈默納科旋轉(zhuǎn)硅片諧波CSF-14-50-2UJ樣光刻膠就可以均勻噴涂在硅片表面上。光刻膠涂覆后,在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有光刻膠的堆積。