產(chǎn)品詳情
氧化(Oxidation)工藝的主要目的是在硅襯底表面形成SiO2氧化膜。日本HD熱氧化加工諧波SHD-14-50-2SH SiO2在微電子和微系統(tǒng)中的主要應用包括:鈍化晶體表面,形成化學和電的穩(wěn)定表面,日本HD熱氧化加工諧波SHD-14-50-2SH即器件表面保護或鈍化膜;作為后續(xù)工藝步驟(擴散或離子注入)的掩模(摻雜掩模、刻蝕掩模);形成介質(zhì)膜用于器件間的隔離或作器件結(jié)構中的絕緣層(非導電膜);在襯底或其他材料間形成界面層(或犧牲層)。
熱氧化是指在高溫爐中反應,形成較厚的SiO2氧化層的過程,日本HD熱氧化加工諧波SHD-14-50-2SH也稱為熱生長法。根據(jù)不同的作用,氧化層的厚度從60?-10000 ?。氧化溫度一般在900℃-1200℃。